La molibdenite, un solfuro di molibdeno (MoS2), è infatti un materiale ad alta sfaldabilità con proprietà simili a quelle del grafene, che permettere di ottenere strati atomici di soli 0,65nm contro il limite di 2nm imposto dal Silicio.



A differenza del grafene, inoltre, la molibdenite presenta un gap energetico di 1,8 elettronvolt, rendendolo ideale per un utilizzo come semiconduttore, proprio come avviene con il silicio. Il grafene per poter essere utilizzato come un semiconduttore necessita di essere raffreddato a temperature molto basse, circa -200°C.




I ricercatori svizzeri sono riusciti ad integrare in un foglio di molibdenite un circuito integrato di base in grado di effettuare semplici operazioni logiche.
Questo materiale sembra molto promettente poiché oltre a garantire un maggior livello di integrazione, permetterebbe di ridurre notevolmente i consumi in stato di riposo, fino a 100.000 volte rispetto all'elettronica del silicio.

Il materiale è ancora in fase di studio, e prima di poter raggiungere prodotti commerciali occorrerebbero, secondo gli studiosi, circa 10 o 20 anni.